BERNSTEIN光电式传感器，BERNSTEIN深圳一级代理 BERNSTEIN光电式传感器是将光通量转换为电量的一种传感器，BERNSTEIN光电式传感器的基础是光电转换元件的光电效应。由于光电测量方法灵活多样，可测参数众多，具有非接触，高精度，高可靠性和反应快等特点，使得BERNSTEIN光电传感器在检测和控制领域获得了广泛的应用。 BERNSTEIN光电式传感器有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光电二极管和光电三极管、光电池、半导体色敏传感器、光电闸流晶体管、热释电传感器、光电耦合器件等光电元件。另外，BERNSTEIN光电式传感器还可分为模拟式光电式传感器和脉冲式光电式传感器两类。 BERNSTEIN光电式传感器，BERNSTEIN深圳一级代理 BERNSTEIN光电式传感器光电效应 BERNSTEIN光电式传感器是光照射到某些物质上，使该物质的导电特性发生变化的一种物理现象，可分为外光电效应和内光电效应和光生伏应三类。外光电效应是指，在光线作用下物体内的电子逸出物体表面向外发射的物理现象。光子是以量子化“粒子”的形式对可见光波段内电磁波的描述。光子具有能量hv，h为普朗克常数，v为光频。光子通量则相应于光强。外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述：
Ek =hν -W
其中，h表示普朗克常量，ν表示入射光的频率）。当光子能量等于或大于逸出功时才能产生外光电效应。因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频阈值，称为红限频率。对于红限频率以上的入射光，外生光电流与光强成正比。内光电效应又分为光电导效应和光生伏应两类。光电导效应是指，半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带，从而增加电导率的现象。能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏打效应是指光线作用能使半导体材料产生一定方向电动势的现象。光生伏打效应又可分为势垒效应（结光电效应）和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中，电子受光子的激发脱离势垒（或禁带）的束缚而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下电子移向 N区外侧，空穴移向 P区外侧，形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时，受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀，电子向未被照射部分扩散，引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。
BERNSTEIN光电式传感器外光电效应
光子，光子能量；光电子
外光电效应是指在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。
内光电效应
在光线作用下，物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应
光电导效应：光敏电阻、光敏二极管（晶体管）
光生伏应：光电池 BERNSTEIN光电式传感器的构成特点
BERNSTEIN光电式传感器由光源、光学通路、光电元件构成。
BERNSTEIN光电式传感器应用
1、光量变化的非电量；
2、能转换成光量变化的其他非电量。
BERNSTEIN光电式传感器特点
非接触、响应快、性能可靠。
BERNSTEIN光电式传感器应用 光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点?而且可测参数多。BERNSTEIN光电式传感器的结构简单形式灵活多样、体积小。近年来随着光电技术的发展，BERNSTEIN光电式传感器已成为系列产品其品种及产量日益增加、用户可根据需要选用各种规格的产品?它在机电控制、计算机、国防科技等方面。 |
